Gardez une longueur d'avance

Le 990 EVO offre des vitesses de lecture/écriture séquentielle améliorées jusqu'à 5 000/4 200 Mo/s et des vitesses de lecture/écriture aléatoire jusqu'à

700 000/800 000 IOPS, soit 43% de plus que le 970 EVO Plus 2 To. Gagnez en temps de chargements sur vos jeux et accédez plus rapidement à vos fichiers lourds.

Efficacité énergétique accrue

Avec une amélioration remarquable de plus de 70 % d’efficacité par rapport au modèle précédent, vous pouvez utiliser votre ordinateur encore plus longtemps sans vous soucier de l'autonomie de la batterie.

De plus, il prend en charge Modern Standby, qui vous permet de rester connecté à internet et de recevoir des notifications même en utilisant le mode basse consommation.

Solution thermique intelligente

L'étiquette de diffusion de la chaleur du 990 EVO facilite le contrôle thermique de la puce NAND. L'algorithme de contrôle thermique de pointe de Samsung, associé à la Dynamique Thermal Guard, garantit des performances constantes et fiables. Gardez vos performances au chaud, pas votre SSD.

Logiciel Samsung Magician

Faites en sorte que votre SSD fonctionne comme sur des roulettes. Les outils d'optimisation du logiciel Samsung Magician garantissent les meilleures performances du SSD. C'est le moyen le plus sûr et le plus simple de migrer toutes vos données pour une mise à niveau du SSD Samsung. Protégez vos données précieuses, surveillez la santé du SSD et obtenez les dernières mises à jour.

Donner vie aux innovations

Depuis des décennies, la mémoire flash NAND de Samsung alimente des technologies révolutionnaires qui ont changé notre vie quotidienne. Cette technologie flash NAND équipe également SSD grand public, laissant la place à la prochaine grande vague d'innovation.

Caractéristiques

Caractéristiques générales

Utilisation
PC et consoles de jeux

Capacité
1,000Go (1Go=1 milliard de byte par IDEMA)**

Forme
M.2 (2280)

Interface
PCIe® 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe™ 2.0

Dimensions du produit
80 x 22 x 2.38 mm

Poids
Max 9.0g

Mémoire de stockage
Samsung V-NAND TLC

Contrôleur
Samsung in-house Controller

Mémoire cache
HMB(Host Memory Buffer)

Caractéristiques spécifiques

Support TRIM
Supporté

Support S.M.A.R.T
Supporté

Ramasse-miettes
Auto Garbage collection Algorithm

Système de cryptage
Cryptage AES 256 bits (classe 0)TCG/Opal IEEE1667 (lecteur crypté)

Support WWN
Non supporté

Mode veille
Oui

Performances

Lecture séquentielle
Jusqu'à 5 000 Mo/s*

Écriture séquentielle
Jusqu'à 4 200 Mo/s*

Lecture aléatoire (4KB, QD32)
Jusqu'à 680 000 IOPS*

Écriture aléatoire (4KB, QD32)
Jusqu'à 800 000 IOPS*

Lecture aléatoire (4KB, QD1)
Jusqu'à 20 000 IOPS*

Écriture aléatoire (4KB, QD1)
Jusqu'à 90 000 IOPS*

Environnement

Consommation moyenne
Lecture 5,5 W / Ecriture 4,7 W***

Consommation en mode veille
Généralement 60 mW***

Power Consumption (Device Sleep)
Généralement 5 mW, Tension admissible 3,3 V ± 5 %***

Voltage
3,3 V ± 5 % Tension admissible

Fiabilité (MTBF)
1,5 million d’heures de fiabilité (MTBF)

Température hors fonctionnement
0 - 70°C Température de fonctionnement

Chocs
1 500 g et 0,5 ms

Accessoires

Kit d'installation
Non disponible

Logiciel

Logiciel de gestion
Samsung Magician