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      Disque dur SSD Samsung 860 QVO 1 To (MZ-76Q1T0)

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      Disque dur SSD Samsung 860 QVO 1 To (MZ-76Q1T0)

      Endurance et performances
      Manufacturer: Samsung
      Availability: Out of stock
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      Point Relais retrait gratuit (sous 1 à 4 jours)

      Pour redonner vie à vos anciens pc portables, en remplaçant leur disque mécanique ou en disque de stockage externe ajouté à un boîtier, ce disque Samsung QVO 860 saura relever le défi à chaque instant.

      Un SSD optimisé sur tous les points
      Les Téraoctets sont désormais accessibles. Le SSD 860 QVO vous offre une capacité de stockage extraordinaire, des performances solides et une fiabilité exceptionnelle. Cette révolution a été rendue possible par la dernière technologie flash 4-bit MLC NAND de Samsung. Il est temps de passer au modèle supérieur et d’opter pour le SSD rapide dont vous avez besoin.

      Passez à la vitesse supérieure et découvrez la nouvelle norme
      Passez à la vitesse supérieure. Jusqu’à 550 Mo/s en lecture et 520 Mo/s en écriture, expérimentez la sensation d’un ordinateur neuf qui démarre, s’arrête, transfère et réagit rapidement. La technologie Intelligent TurboWrite accélère encore la vitesse et permet de maintenir des performances élevées sur le long terme avec plus de mémoire tampon variable.

      Une fiabilité éprouvée
      Le 860 QVO représente une alternative fiable aux options de stockage existantes. Elle est dotée de la technologie V-NAND de Samsung et soutenue par une garantie limitée de 3 ans ou de 1 440 TBW maximum. L’analyse des utilisateurs de SSD par Samsung a permis d’obtenir un taux de TBW suffisant pour assurer les usages PC au quotidien.

      Compatibilité supérieure
      Profitez d’une communication plus rapide et plus fluide avec votre système hôte. L’algorithme ECC* affiné et un nouveau contrôleur MJX génèrent plus de vitesse, tandis que la suppression de file d’attente augmente la compatibilité avec Linux.

      Caractéristiques
      Facteur de forme SSD2.5"
      Capacité du Solid State Drive (SSD)1000 Go
      InterfaceSérie ATA III
      Type de mémoireV-NAND MLC
      NVMeNon
      composant pourOrdinateur portable
      Vitesse de lecture550 Mo/s
      Vitesse d'écriture520 Mo/s
      Type Flash NANDMLC (Multi Level Cell)
      Algorithme de sécurité soutenu256-bit AES
      Taux de transfert des données6 Gbit/s
      Lecture aléatoire (4KB)96000 IOPS
      Écriture aléatoire (4KB)89000 IOPS
      Type de contrôleurSamsung MJX
      Prise en charge de DevSlp (veille du dispositif)Oui
      Support S.M.A.R.T.Oui
      Support TRIMOui
      ECCOui
      IEEE 1667Oui
      Temps moyen entre pannes1500000 h
      Collecte des déchets activeOui
      TCG Opal 2.0Oui
      Classe TBW1440
      Puissance
      Tension de fonctionnement5 V
      Consommation (max)4 W
      Consommation d'énergie (moyenne)2,2 W
      Consommation électrique (idle)0,03 W
      Conditions environnementales
      Température d'opération0 - 70 °C
      Température hors fonctionnement-40 - 85 °C
      Taux d'humidité relative (stockage)5 - 95%
      Choc durant le fonctionnement1500 G
      Poids et dimensions
      Largeur100 mm
      Profondeur69,8 mm
      Hauteur6,8 mm
      Poids51 g
      Autres caractéristiques
      Couleur du produitArgent
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